Учёные из Германии и Китая совершили прорыв в разработке мемристоров — энергоэффективных компонентов, которые имитируют принципы работы нейронов мозга. Новая технология, созданная в Центре Юлиха под руководством Ильи Валова, решает проблему «катастрофического забывания», когда искусственный интеллект теряет ранее усвоенные данные при обучении новым задачам.
Мемристоры, сочетающие функции памяти и резистора, меняют своё сопротивление под напряжением и сохраняют это состояние после отключения питания. В отличие от классических транзисторов, они позволяют создавать нейроморфные системы, где вычисления и хранение данных происходят в одном месте — как в биологическом мозге. Однако предыдущие версии таких компонентов страдали от нестабильности: металлические проводящие нити (ECM-тип, хрупкие металлические «проводки», частично разрушающиеся) быстро разрушались при изменении напряжения, а системы на основе кислородных ионов (VCM-тип) требовали высокого напряжения.
Свежие комментарии