Компания Kioxia представила обновлённую дорожную карту, раскрывающую планы развития своей технологии NAND-памяти. В центре внимания — 332-слойный чип, принадлежащий к десятому поколению BiCS FLASH, который, как заявлено, обеспечит 2 ТБ ёмкости на кристалл. Хотя это значение может показаться скромным по сравнению с ожиданиями, Kioxia намекает на возможность создания накопителей существенно большей ёмкости в рамках проекта Gen X, при этом без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).
Эта информация основана на материалах, представленных Kioxia в рамках своей долгосрочной корпоративной стратегии. Компания позиционирует 332-слойный чип, находящийся сейчас в стадии разработки, как ключевой элемент «двухосной стратегии». Она подразумевает развитие по двум направлениям: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и улучшение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA).
CBA обеспечивает прямое подключение CMOS-цепей к массиву …
Свежие комментарии